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          搶購(gòu)最新型號(hào)光刻機(jī) 英特爾與臺(tái)積電爭(zhēng)奪最強(qiáng)制造商地位

          為了從臺(tái)積電手中奪回“全球最先進(jìn)芯片制造商”的寶座,英特爾搶先下手了,盡管阿斯麥(ASML)最新型號(hào)的光刻機(jī)還未投產(chǎn),但英特爾已經(jīng)打錢(qián)預(yù)定了。建廠擴(kuò)產(chǎn)、被傳收購(gòu)格芯,現(xiàn)在又開(kāi)始搶購(gòu)光刻機(jī),最,英特爾為了在芯片大戰(zhàn)中翻身,動(dòng)作頻頻。這并不意外,英特爾CEO已經(jīng)表過(guò)態(tài)了,“我們不要浪費(fèi)這場(chǎng)危機(jī)”。

          搶先購(gòu)入

          報(bào)價(jià)逾3.4億美元,光刻機(jī)巨頭阿斯麥的下一代設(shè)備價(jià)格再創(chuàng)新高,較前一代價(jià)格增逾13%。

          即便是天價(jià),也不影響芯片廠商的踴躍。當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月19日,阿斯麥官網(wǎng)顯示,英特爾已經(jīng)率先訂購(gòu)了一臺(tái),為業(yè)內(nèi)首家。

          作為制造芯片的核心裝備,光刻機(jī)的先進(jìn)程度等直接決定了芯片的制程工藝。自2017年阿斯麥第一臺(tái)量產(chǎn)的EUV光刻機(jī)正式推出以來(lái),三星的7nm/5nm工藝,臺(tái)積電的第二代7nm工藝和5nm工藝的量產(chǎn)都是依賴(lài)于0.55數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)來(lái)進(jìn)行生產(chǎn)。

          而伴隨著芯片廠商向3nm制程工藝沖刺,對(duì)光刻機(jī)的要求也越來(lái)越高,需要依賴(lài)于阿斯麥新一代的高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻機(jī)EXE:5000系列。

          此次英特爾訂購(gòu)的這臺(tái)光刻機(jī),型號(hào)為High-NA量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)EXE:5200,將采用不同的鏡頭系統(tǒng),NA更大,將會(huì)是業(yè)界最強(qiáng)的光刻機(jī)。阿斯麥發(fā)言人表示,更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍,同時(shí)密度增加2.9倍。未來(lái)比3nm更先進(jìn)的工藝,將極度依賴(lài)高NAEUV光刻機(jī)。

          阿斯麥方面稱(chēng),“HighNA”EUV,每臺(tái)的成本約為3億美元。第一批原型將于2023年發(fā)貨,預(yù)計(jì)要到2025年才能用于批量生產(chǎn)。

          其實(shí),首個(gè)訂單花落英特爾并不意外。去年7月,在“英特爾加速創(chuàng)新:制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會(huì)”上,英特爾已宣布將在2024年量產(chǎn)20A工藝(相當(dāng)于臺(tái)積電2nm工藝),并透露其將率先獲得業(yè)界第一臺(tái)High-NAEUV光刻機(jī)。

          不過(guò),臺(tái)積電和三星也不甘示弱。此前,臺(tái)積電已經(jīng)向阿斯麥采購(gòu)了High-NA研發(fā)型EUV光刻機(jī)EXE:5000,業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)在今年內(nèi)會(huì)跟進(jìn)下單High-NA量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)。

          翻身之戰(zhàn)

          顯而易見(jiàn),英特爾此次急于出手是為了爭(zhēng)奪最強(qiáng)芯片制造商地位。此前在7nm領(lǐng)域的爭(zhēng)奪,英特爾就不及臺(tái)積電和三星,略遜一籌。

          英特爾10nm曾被認(rèn)為是臺(tái)積電7nm的同一代,英特爾7nm被認(rèn)為是臺(tái)積電5nm的同一代。早在2018年4月,當(dāng)英特爾10nm制程芯片難產(chǎn)時(shí),臺(tái)積電已經(jīng)宣布成功量產(chǎn)EUV工藝的7nm制程芯片。6個(gè)月后,三星也宣布量產(chǎn)7nmEUV工藝。

          到了2019年,臺(tái)積電開(kāi)始試產(chǎn)5nm制程芯片,同年,英特爾量產(chǎn)10nm。至于英特爾的7nm,在最新的規(guī)劃里,預(yù)計(jì)投產(chǎn)時(shí)間是2022二季度。而臺(tái)積電的3nm芯片將在今年下半年量產(chǎn)。

          制程持續(xù)落后,英特爾在上游設(shè)備和下游市場(chǎng)上也不占優(yōu)勢(shì)。

          去年5月,三家芯片大廠曾展開(kāi)一次激烈角逐。在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)之后,EUV光刻機(jī)成了關(guān)鍵裝備,而臺(tái)積電明顯在此前搶占了先機(jī)。據(jù)統(tǒng)計(jì),阿斯麥年來(lái)一共量產(chǎn)了100臺(tái)左右的EUV光刻機(jī),其中供應(yīng)給臺(tái)積電的就有70臺(tái),占了絕大多數(shù)份額。

          臺(tái)積電同時(shí)還是市場(chǎng)的絕對(duì)占據(jù)者。去年三季度,臺(tái)積電憑借148.84億美元的營(yíng)收,拿下了全球芯片代工市場(chǎng)53.1%的市場(chǎng)份額。

          同樣,臺(tái)積電還手握多家大客戶。據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,臺(tái)積電2022年的產(chǎn)能十分搶手,AMD、蘋(píng)果、英偉達(dá)、高通等數(shù)十家客戶紛紛預(yù)先支付資金,以確保后續(xù)的生產(chǎn)能夠順利進(jìn)行。預(yù)計(jì)臺(tái)積電今年將取得1500億新臺(tái)的預(yù)付款(約合346億元人民)。

          而放眼整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng),英特爾的地位也不如三星。1月19日,數(shù)據(jù)研究機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,2021年半導(dǎo)體市場(chǎng)整體銷(xiāo)售額增長(zhǎng)25.1%至5835億美元,首次突破5000億美元,其中,三星電子超越英特爾成為收入最高的芯片制造商。

          建廠蓄力產(chǎn)能

          在全球缺芯的大背景下,英特爾也嘗到了“落后”的苦頭。兩年,英特爾發(fā)力不斷。

          去年1月,英特爾換帥,帕特·基辛格被任命為新的CEO,他曾經(jīng)是英特爾第一任首席技術(shù)官,為英特爾工作了30年。彼時(shí),英特爾董事長(zhǎng)OmarIshrak表示:“現(xiàn)在是英特爾轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期,正是充分發(fā)揮帕特在技術(shù)和工程方面專(zhuān)長(zhǎng),進(jìn)行公司領(lǐng)導(dǎo)變動(dòng)的合適時(shí)機(jī)。”

          在去年7月的發(fā)布會(huì)上,英特爾發(fā)布了一系列關(guān)于制程和封裝技術(shù)的重磅內(nèi)容,并指出要用四年時(shí)間追趕上臺(tái)積電與三星電子的差距。

          半導(dǎo)體從業(yè)人員孫先生告訴記者:“英特爾一開(kāi)始是做存儲(chǔ)起家的,后轉(zhuǎn)入處理器大獲成功。而由于固步自封,在和高通、英偉達(dá)、ARM的競(jìng)爭(zhēng)中,顯得力不從心。存儲(chǔ)現(xiàn)在已經(jīng)不是英特爾的核心業(yè)務(wù)了,轉(zhuǎn)而專(zhuān)注于智能芯片的研發(fā)。”他還表示,英特爾這次是真的被逼急了,就為了重回半導(dǎo)體行業(yè)的巔峰。

          除了頂層架構(gòu),英特爾在產(chǎn)能上也大動(dòng)作不斷。去年3月23日,英特爾對(duì)外公布“IDM2.0”戰(zhàn)略,宣布在美國(guó)亞利桑那州投資200億美元,新建兩座晶圓廠,同時(shí)表示將打造英特爾代工服務(wù)。

          之后9月7日,帕特·基辛格又表示,在未來(lái)十年時(shí)間里,英特爾可能會(huì)在歐洲投資最多800億歐元以提高其在該地區(qū)的芯片產(chǎn)能。12月,又有消息傳出英特爾計(jì)劃在全球范圍內(nèi)增加產(chǎn)能,具體舉措將包括在法國(guó)和意大利增設(shè)工廠,以及在德國(guó)建立一個(gè)主要生產(chǎn)基地。

          隨后外媒TheStreet也在1月14日曝出,英特爾將斥資10億美元在俄亥俄州建造新晶圓代工廠,據(jù)報(bào)道,英特爾俄亥俄州新奧爾巴尼廠占地1295公頃,預(yù)計(jì)將于十年內(nèi)建成,若設(shè)廠消息最終屬實(shí),這將是俄州1982年以來(lái)最大規(guī)模的企業(yè)設(shè)廠。

          1月19日,帕特在接受采訪時(shí)稱(chēng),看好美國(guó)和歐盟將推動(dòng)政府撥款支持芯片工廠建設(shè)的提議,認(rèn)為美國(guó)、歐洲政府應(yīng)該提供資金支持,讓芯片制造回歸本土,“我們不要浪費(fèi)這場(chǎng)危機(jī)”。

          對(duì)于建廠擴(kuò)產(chǎn),英特爾毫不手軟。數(shù)據(jù)顯示,英特爾今年資本支出預(yù)期將在180億至190億美元,明年資本支出預(yù)計(jì)將提高到250億至280億美元,增幅至少在三成以上。面對(duì)如此如此強(qiáng)勁的發(fā)力勢(shì)頭,社記者聯(lián)系英特爾方面,試圖向其核實(shí)是否已經(jīng)有了明確的建廠計(jì)劃,擴(kuò)能后將如何發(fā)展等問(wèn)題,但截至發(fā)稿未收到具體回復(fù)。

          不過(guò),英特爾的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也不甘示弱,臺(tái)積電今年預(yù)期投資300億美元,三年內(nèi)將投資1000億美元。當(dāng)然,在持續(xù)激增的芯片需求下,芯片廠商們的共贏是大勢(shì)所趨。英特爾、美光科技等芯片制造商認(rèn)為,全球半導(dǎo)體行業(yè)的繁榮可以持續(xù)到2025年。(記者 楊月涵 實(shí)習(xí)記者 孟悅)

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